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電滲析與反滲透系統(tǒng)的區(qū)別

        電滲析裝置中的不溶性鹽在濃度極化時(shí)會(huì)沉淀并結(jié)垢，但產(chǎn)生的水垢層在反轉(zhuǎn)后可以溶解。這種不溶性鹽的結(jié)垢/除垢過程是電滲析過程所du有的。另外，在電滲析脫鹽過程中，弱室的鹽分會(huì)遷移到濃室。當(dāng)厚室中的不溶鹽過飽和時(shí)，不溶性鹽會(huì)在整個(gè)厚室中沉淀并結(jié)垢。盡管電滲析過程和反滲透過程都會(huì)產(chǎn)生不溶性鹽飽和和結(jié)垢，但兩種過程之間存在根本差異。
        
         ①兩種現(xiàn)象的相似之處在于，都是由不溶性鹽的離子積高于溶度積引起的飽和沉淀引起的。但反滲透系統(tǒng)末端膜表面的不溶性鹽分達(dá)到飽和值%100。如果濃差極化設(shè)置為1.2，當(dāng)系統(tǒng)排出的濃水中不溶性鹽的飽和度僅為83.2%時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)沉淀和結(jié)垢的問題。 .由于電滲析不存在濃差極化現(xiàn)象，只有電滲析濃水中不溶鹽飽和達(dá)到沉淀結(jié)垢問題。
        
         ②反滲透進(jìn)料/濃水側(cè)和電滲析腔濃縮室兩側(cè)的PH值都偏堿性，有利于碳酸鈣結(jié)垢。但是，反滲透進(jìn)水/濃水側(cè)的結(jié)垢過程在系統(tǒng)運(yùn)行過程中是不可逆的，電滲析反轉(zhuǎn)操作后可以溶解水垢層。
        
        電滲析反滲透系統(tǒng)的合成工藝
        
        ③在反滲透過程中存在垂直于膜表面的滲透徑流和壓力梯度。徑流和壓力對(duì)降水和結(jié)垢有穩(wěn)定的影響。電滲析濃縮室中的徑流與膜表面相切，不利于膜表面析出晶體的生長(zhǎng)。
        
         ④一般反滲透系統(tǒng)的進(jìn)水/濃縮水呈弱堿性，在進(jìn)水/濃縮水篩網(wǎng)中容易形成不可逆的碳酸鈣水垢層。但一般電滲析淡水通道水體呈微酸性，用作粗水通道時(shí)篩網(wǎng)內(nèi)形成的碳酸鈣水垢層，作為淡水通道時(shí)容易溶解。
        
         ⑤由于反滲透系統(tǒng)結(jié)垢的不可逆性質(zhì)和濃差極化的影響，反滲透膜系統(tǒng)只能在濃水中有不溶鹽的欠飽和狀態(tài)下運(yùn)行。然而，由于電滲析系統(tǒng)中的污染和溶解過程交替發(fā)生，極性反轉(zhuǎn)頻繁，因此電滲析系統(tǒng)可以在濃水過飽和條件下穩(wěn)定運(yùn)行。